刻蝕機和光刻機的區(qū)別：光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。

刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質(zhì)一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要精確到納米。

現(xiàn)在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術(shù)。10納米有多小呢？

打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米?，F(xiàn)在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。

ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術(shù)合作的結(jié)果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發(fā)。

我們是受到技術(shù)禁運的，不能買他最先進的產(chǎn)品，國內(nèi)上海量產(chǎn)的是90納米的光刻機。技術(shù)上有差距。2017年，長春光機所“極紫外光”技術(shù)獲得突破，預(yù)計能達到22-32納米，技術(shù)差距縮小了。

我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研制出世界一流的光刻機，不再被卡脖子。核心技術(shù)、關(guān)鍵技術(shù)、國之重器必須立足于自己?？萍嫉墓リP(guān)要摒棄幻想，靠我們自己。

我們刻蝕機技術(shù)已經(jīng)突破，5納米的刻蝕機我們也能自主生產(chǎn)，現(xiàn)在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然后反復(fù)循環(huán)幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。

什么是光刻機

光刻機（Mask Aligner） 又名：掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

Photolithography（光刻）意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

光刻的目的

使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性。

光刻機工作原理

測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。

光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。

能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質(zhì)量。

光束形狀設(shè)置：設(shè)置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，不同的光束狀態(tài)有不同的光學特性。

遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。

能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，并反饋給能量控制器進行調(diào)整。

掩模版：一塊在內(nèi)部刻著線路設(shè)計圖的玻璃板，貴的要數(shù)十萬美元。

掩膜臺：承載掩模版運動的設(shè)備，運動控制精度是nm級的。

物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜版上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，并且物鏡還要補償各種光學誤差。技術(shù)難度就在于物鏡的設(shè)計難度大，精度的要求高。

硅片：用硅晶制成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產(chǎn)率越高。題外話，由于硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的坐標系，根據(jù)缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、nh。

內(nèi)部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環(huán)境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，并維持穩(wěn)定的溫度、壓力。

光刻機分類

光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。

A 手動：指的是對準的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；

B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧；

C自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

光刻機可以分為接近接觸式光刻、直寫式光刻、以及投影式光刻三大類。接近接觸式通過無限靠近，復(fù)制掩模板上的圖案；投影式光刻采用投影物鏡，將掩模板上的結(jié)構(gòu)投影到基片表面；而直寫，則將光束聚焦為一點，通過運動工件臺或鏡頭掃描實現(xiàn)任意圖形加工。光學投影式光刻憑借其高效率、無損傷的優(yōu)點，一直是集成電路主流光刻技術(shù)。

光刻機應(yīng)用

光刻機可廣泛應(yīng)用于微納流控晶片加工、微納光學元件、微納光柵、ＮＭＥＭＳ器件等微納結(jié)構(gòu)器件的制備。

刻蝕機是什么

實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

刻蝕機的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，然后從真空管路被抽走。